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| 规格书 |
 NTD78N03 |
| 文档 |
Multiple Devices 01/Oct/2008 |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 78A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2250pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11.4A (Ta), 78A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 78A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 标准包装 | 75 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2250pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 4.5V |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 78 A |
| 正向跨导 - 闵 | 22 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 6.5 Ohms |
| 功率耗散 | 64 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 上升时间 | 68 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 42 ns |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2250pF @ 12V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6 mOhm @ 78A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
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